۱-۲-۱-تحریک الکترواستاتیک در میدان الکتریکی ۱۳
۱-۲-۲-نیروی بین ملکولی واندروالس ۱۶
۱-۲-۲-۱-مقدمه ۱۶
۱-۲-۲-۲-تعامل نیروی واندروالس و الکترواستاتیک در نانوسوییچ ۱۷
۱-۲-۳-تئوری تنش غیرمحلی ۱۸
۱-۲-۴-حسگر جرمی ۲۰
ادبیات و تاریخچه موضوع تحقیق ۲۲
۱-۳-۱-مروری بر تاریخچه مدلسازی و طراحی میکرو/نانوسوییچ‌های کربنی ۲۲
۱-۳-۲- مروری بر روش‌های حل عددی و تحلیلی میکرو/نانو تیرهای تحریک‌شده با میدان الکتریکی ۲۵
۱-۳-۳-پیشرفت‌های انجام شده در زمینه سنسورها ۲۹
۱-۳-۴-اهداف پژوهش و سازماندهی ۳۲
۲-فصل دوم : مدلسازی مسأله ۳۴
۲-۱-استخراج معادله حاکم بر مسأله ۳۴
استخراج شرایط مرزی ۳۸
۲-۲-۱-سوییچ یکسرگیردار ۳۸
۲-۳- بی‌بعد‌سازی معادلات ۴۰
۲-۴-بسط تیلورنیروهای غیر خطی ۴۱
۲-۵-حل خطی مسأله ۴۱
۲-۶-تاثیر ولتاژ روی فرکانس طبیعی تیر ۴۳
۳-فصل سوم : تحلیل استاتیکی و دینامیکی سیستم ۴۶
۳-۱-تحلیل استاتیکی ۴۶
۳-۱-۱-روش حل معادلات مقدار مرزی در متلب ۴۷
۳-۱-۲-نتایج و نمودارهای تحلیل استاتیک ۴۸
۳-۲-تحلیل دینامیکی ۵۹
۳-۲-۱- مقدمه ۵۹
۳-۲-۲-استخراج معادله خطی و همگن برای ارتعاش آزاد ۶۰

(( اینجا فقط تکه ای از متن درج شده است. برای خرید متن کامل فایل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. ))

۳-۲-۳-حل ارتعاش آزاد مسأله ۶۲
۳-۲-۳-۱-شرایط مرزی طبیعی در ۶۴
۳-۲-۴-روش گالرکین، و حذف وابستگی به مکان در مسئله ۶۶
۳-۲-۵-حل عددی معادله دیفرانسیل غیرخطی وابسته به زمان ۶۸
۳-۲-۶-نمودار ها و نتایج تحلیل دینامیک ۶۹
۴-فصل چهارم : بررسی ناپایداری سیستم با حضور ذره جرمی محرک ۷۷
۴-۱-مقدمه ۷۷
۴-۱-۱-ارتعاش سازه‌ها تحت بار یا ذره محرک ۷۷
۴-۱-۲-نانو ذره محرک در سیستم‌های نانو الکترومکانیک ۷۸
۴-۲-فرضیات لازم جهت مدلسازی مسأله ۷۹
۴-۳-فرموله کردن مسأله ۸۰
۴-۳-۱-معرفی پارامترهای بدون بعد ذره ۸۲
۴-۴-نتایج عددی و بحث‌ها ۸۳
۵-فصل پنجم : ناپایداری استاتیکی غیرخطی غیرمحلی نانوسوییچ ‌نیترید-بور ۸۸
۵-۱- مقدمه ۸۸
۵-۲-نانوسوییچ نیترید-بور ۸۹
۵-۳-مدلسازی نانوسوییچ ۹۰
۵-۳-۱-راوابط کرنش-جابجایی ۹۰
۵-۳-۲-مواد پیزوالکتریک ۹۰
۵-۳-۳- نیروی‌های خارجی ۹۱
۵-۳-۴-تئوری پیزوالاستسیته غیرمحلی ۹۲

(کیلوگرم در هکتار)

 

تعداد دانه سبز در غلاف
(کیلوگرم در هکتار)

 

 

 

بدون مالچ

 

۱۴/۲۵

 

۱۴

 

۳۲

 

۸/۹۰۴

 

۳

 

 

 

استفاده ازمالچ

 

۹۴/۲۴

 

۱۲

 

۲۹

 

۵/۸۸۲

 

۲

 

 

 

بنابراین صرفا از طریق مصرف بهینه برخی از عناصر نظیر آهن می توان عملکرد بیولوژیک را افزایش داد.در مقادیر مصرف بالاتر از ۴ درهزار به نظر می رسددراثرمسمومیت بافتهای گیاهی رشد با مشکل مواجه شود که این امر منجر به کاهش عملکرد بیولوژیک می گردد.اثر متقابل مالچ × مقدار مصرف آهن بر عملکرد بیولوژیک در لوبیامعنی دار نبود.نتایج بدست آمده با یافته های مرکز توسعه آبیاری کانادا،۲۰۰۱ مطابقت دارد.

(( اینجا فقط تکه ای از متن درج شده است. برای خرید متن کامل فایل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. ))

۴-۷-اثر مالچ ومقدار آهن بر عملکرد قسمت های هوایی لوبیا
نتایج تجزیه واریانس اثر مالچ ومقدار مصرف آهن بر عملکرد قسمت های هوایی در لوبیا در جدول ۴-۳ نشان داده شده است.همانطور که در جدول مذکور مشاهده می شود اثر مالچ بر عملکرد قسمت های هوایی لوبیا معنی دار نبود وبیشترین عملکرد قسمت های هوایی در شرایط عدم استفاده از مالچ مشاهده شد که تفاوت آماری معنی داری با عملکرد قسمت های هوایی در شرایط استفاده از مالچ نداشت.اثرمقدارمصرف آهن بر عملکرد قسمت های هوایی همانند سایر صفات معنی دار بودوباز هم با افزایش مقدار مصرف آهن با وجود تفاوت های مشاهده شده در عملکرد قسمت های هوایی اختلاف آنها از نظر آماری معنی دار نبود وفقط مقدار مصرف ۲درهزارحجم کمی باعث افزایش این صفت شدبه نظر می رسددلیل اصلی این افزایش ناشی از افزایش بوته ها باشد.اثر متقابل مالچ × مقدار مصرف آهن بر قسمت های هوایی در لوبیا معنی دار نبود،به نظر می رسد با توجه به کوتاه بودن طول دوره رشد استفاده از بسیاری کودهاخصوصاً آهن نمی تواند تاثیر زیاد بر عملکرد قسمت های هوایی داشته باشد ، زیرا از آنجایی که لوبیا گیاهی روز کوتاه است بنابر این در شرایط کاشت پائیزه به سرعت وارد مرحله گلدهی می شود و از آن جایی که گلدهی و شروع رشد غلاف ها به عنوان مخازن قوی برای جذب مواد فتوسنتزی عمل می کنند بنابر این انتقال مواد فتوسنتزی برای تداوم رشد ساقه ها وبرگها کاهش می یابد و این امر باعث کم شدن رشد قسمتهای هوایی می شود.
نمودار ۴-۵-اثر مقادیر مختلف مصرف آهن بر عملکرد بیولوژیک لوبیا
نمودار ۴-۶- اثر مقادیر مختلف مصرف آهن بر عملکرد قسمتهای هوایی لوبیا
جدول۴-۳-تجزیه واریانس اثر مالچ ومقدار مصرف آهن بر برخی از صفات مورد ارزیابی در لوبیا

 

 

 

 

 

 

تعداد دانه خشک در واحد سطح

 

عملکرد بیولوژیک

 

عملکرد قسمت های هوایی

 

عملکرد دانه خشک

 

عملکرد غلاف خشک

 

 

 

منبع تغییرات

 

درجه آزادی

 

میانگین مربعات

 

 

 

تکرار

 

۲

 

^ns89/3059

برای بررسی این فرضیه از سؤالات ۶ تا ۱۶ پرسشنامه برای ترکیب دانش و سوالات ۱ تا ۳۶ برای سلامت سازمانی استفاده گردیده است و این فرضیه با بهره گرفتن از آزمون همبستگی پیرسون مورد آزمون قرار گرفته است. نتایج حاصل از این بررسی در جدول ۴-۶ نشان داده شده است.
(( اینجا فقط تکه ای از متن درج شده است. برای خرید متن کامل فایل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت nefo.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. ))

جدول ۴-۶: نتایج حاصل از آزمون همبستگی پیرسون برای فرضیه‌ی دوم

 

	متغیر		سلامت سازمانی
فرضیه‌ دوم	ترکیب دانش	همبستگی	***۳۹۲/۰
		سطح معناداری	۰۰۰/۰
		حجم نمونه	۱۴۶

جدول بالا نشان می‌دهد که همبستگی بین مؤلفه ترکیب دانش و سلامت سازمانی کارکنان برابر با ۳۹۲/۰ می‌باشد و با توجه به سطح معناداری برآورد شده که برابر ۰۰۰/۰ می‌باشد و در سطح اطمینان ۹۵/۰ درصد می‌توان ادعا کرد که فرض صفر رد و نقیض آن تأیید می‌گردد، یعنی فرض   پذیرفته می‌شود. درنتیجه بین مؤلفه ترکیب دانش و سلامت سازمانی کارکنان شرکت سایپا کاشان رابطه معناداری وجود دارد. یعنی ترکیب دانش در ایجاد و ارتقاء سلامت سازمانی اهمیت بسزایی دارد و با ارتقاء ترکیب دانش ، سلامت سازمانی نیز ارتقاء می‌یابد.
۴-۳-۳) آزمون فرضیه فرعی سوم
فرضیه سوم به بررسی رابطه بین مؤلفه درونی سازی دانش و سلامت سازمانی کارکنان شرکت سایپا کاشان می‌پردازد که به منظور آزمون، این فرضیه به صورت فرضیه‌های آماری،   (نشان دهنده ادعا) و   (نشان دهنده نقیض ادعا) تبدیل می‌شود.
:   بین مؤلفه دورنیسازی دانش و سلامت سازمانی کارکنان شرکت سایپا کاشان رابطه معناداری وجود ندارد.
:   بین مؤلفه درونیسازی دانش و سلامت سازمانی کارکنان شرکت سایپا کاشان رابطه معناداری وجود دارد.
نقیض ادعا ۰=
ادعا
برای بررسی این فرضیه از سؤالات ۱۷ تا ۲۰ پرسشنامه برای دورنیسازی دانش و سوالات ۱ تا ۳۶ برای سلامت سازمانی استفاده گردیده است و این فرضیه با بهره گرفتن از آزمون همبستگی پیرسون مورد آزمون قرار گرفته است. نتایج حاصل از این بررسی در جدول ۴-۷ نشان داده شده است.
جدول ۴-۷: نتایج حاصل از آزمون همبستگی پیرسون برای فرضیه‌ی سوم

 

	متغیر		سلامت سازمانی
فرضیه سوم	درونی سازی دانش	همبستگی	***۴۵۱/۰
		سطح معناداری	۰۰۰/۰
		حجم نمونه

سنسورهای زیر هر کدام برای گازهای مختلف کار برد دارند.

( اینجا فقط تکه ای از متن پایان نامه درج شده است. برای خرید متن کامل فایل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. )

شکل۳-۲ اشکال ظاهری انواع سنسورهای گاز سری MQ
۳-۲-۱ سنسور گاز MQ 2
توسط این سنسور می توان گازهای از قبیل :بوتان,متان,الکل,دود را تشخیص دهد.
از ۶ بایه تشکیل شده است,که دو بایه آن یکی A,B می باشد ودو بایه آن H می باشد.
که بایه های H به یک فیلامان متصل می باشد و بایه Aویکی از بایه های H به ۵ ولت
متصل شده است و بایه دیگر H به زمین متصل شده است.
بایه B خروجی سنسور می باشد و برای تنظیم ولتاز خروجی توسط یک مقاومت ۳/۳ کیلو
اهم به زمین متل شده است.
اجزاء داخلی سنسور و نحوه بایاس کردنMQ2 در شکل ۱-۳ نشان داده شده است.

شکل۳-۳ مدار داخلی سنسور mq2 و نحوه ی بایاس آن
Gas sensor & Gas detector

شکل ۳-۴ سنسورها و دتکتور های موجود در بازار
شکل ۳-۵ راه اندازی و بایاس سنسور گاز
فصل چهارم
نقش میکروکنترولر AVR در سیستم اعلان و اطفاء حریق
۴-۱ مختصری راجع به میکروکنترلرهای AVR :
میکروکنترلرهای AVR با ایجاد تحولی در معماری، جهت کاهش کد به مقدار مینیمم توسط شرکت ATMEL ارائه شد که علاوه بر کاهش و بهینه سازی مقدار کدها بطور واقع عملیات را تنها در یک کلاک سیکل، توسط معماری^[۴] RISC انجام می دهند. و از ۳۲ رجیستر همه منظوره استفاده می کنند، که باعث شده ۴ تا ۱۲ بار سریعتر از میکروهای مورد استفاده کنونی باشند.
۴-۲ خصوصیات ATmega 32 :
⦁از معماری AVR RISC استفاده می کند.
- کارایی بالا و توان مصرفی کم.
- دارای ۱۳۱ دستورالعمل با کارایی بالا که اکثراً تنها در یک کلاک سیکل اجرا می شوند.
- ۸×۳۲ رجیستر کاربردی.
- سرعتی تا MIPS 16 در فرکانس MHZ 16.
⦁حافظه برنامه و داده غیر فرار
- k 16 بایت حافظه FLASH داخلی قابل برنامه ریزی.
- پایداری حافظه FLASH : قابلیت ۰۰۰,۱۰ بار نوشتن و پاک کردن.
- ۱۰۲۴ بایت حافظه داخلی SRAM.
- ۵۱۲ بایت حافظه EEPROM داخلی قابل برنامه ریزی.
پایداری حافظه EEPROM قابلیت ۰۰۰,۱۰۰ بار نوشتن و پاک کردن.
- قفل برنامه FLASH برای محافظت از نرم افزار.
⦁قابلیت ارتباط JTAG (IEEE std . 1149.1 )
- برنامه ریزی برنامه FLASH ، EEPROM ، FUSE BITS ، LOCK BITS از طریق ارتباط .JTAG
⦁ خصوصیات ویژه میکروکنترلر:
Power – on reset و Brown – out قابل برنامه ریزی.
- دارای اسیلاتور RC داخلی کالیبره شده.
- دارای ۶ حالت Sleep ( Power–Down ، IDLE ، Power–Save ، Standby ، Extended Standby ، ADC Noise Reduction )
- منابع وقفه داخلی و خارجی
- عملکرد کاملاً ثابت
- توان مصرفی پایین و سرعت بالا توسط تکنولوژی CMOS
ولتاژ عملیاتی:
^v4.5 تا ^v5.5.
فرکانسهای کاری : ۰^MHZ تا ۱۶^MHZ.
خطوط I/O و انواع بسته بندی :
-۳۲ خط ورودی- خروجی قابل برنامه ریزی.
۴۰ پایه DDPI ،۴۴ پایه TQFP ،۴۴ پایه MLF.
۴-۳ ترکیب پایه ها ی ATmega 32 ( DDPI ):

۲-۴-۱ نوار های الکترونیکی
وقتی اتم ها یک مولکول تشکیل می دهند، اربیتال های جدید پیوندی و ضد پیوندی شکل می گیرند که سطح انرژی آنها با اربیتال های اتمی متفاوت است. تشکیل اربیتال های جدید باعث به وجود آمدن چندگانگی در سطوح انرژی می شود، با شکل گیری جامد و

 

1. 1. Band gap

 

نزدیکی زیاد از حد اربیتال ها. اربیتال های پیوندی نوار ظرفیت و اربیتال های ضد پیوندی نوار رسانش را به وجود می آورند. اربیتال ها یا سطوح انرژی مجزا در جامد تبدیل به یک نوار پیوسته می شوند که شامل N سطح انرژی است. N از مرتبه است یا جامدات حالت های الکترونیکی مکان خاصی ندارند و به علت تفاوت بلور نسبت به حرکت انتقالی ناوردا هستند.
خصوصیات اپتیکی مواد به چگونگی پر شدن این نوار ها توسط الکترونها بستگی دارد.
بر حسب پر شدن این باندها سه گروه اصلی داریم :
فلزات، نارساناها و نیمه رساناها
در فلزات نوار ظرفیت تکمیل است و قسمتی از نوار رسانش نیز توسط الکترونها پر شده است. اما قسمت خالی نوار رسانش این اجازه را به الکترونها می دهد که با بدست آوردن کمی انرژی بتوانند آزادانه حرکت کنند. در نارسانا ها باند ظرفیت تکمیل است و هیچ الکترونی در باند رسانش وجود ندارد. چون اختلاف انرژی بین بالاترین حد نوار ظرفیت و پایین ترین حد نوار رسانش زیاد است (نوار ممنوعه)، الکترونها نمی توانند به باند رسانش بروند و آزادانه حرکت کنند. در نیمه رسانا ها باند ظرفیت پر است(در دمای صفر کلوین)، اما به علت کم بودن پهنای نوار ممنوعه، الکترونها با بدست آوردن کمی انرژی (مثلاً از طریق حررات )می توانند به باند رسانش بروند و آزادانه حرکت کنند، نیمه رسانا ها با بالا رفتن دما به رسانا تبدیل می شوند.
۲-۴-۲ جابه جایی بین نواری
وقتی یک بلور فوتونی جذب می کند، الکترون ها با جذب آن به انرژی های بالاتر می رود. اگر انرژی فوتون بیشتر از پهنای نوار ممنوعه باشد الکترون می تواند از نوار ظرفیت به نوار رسانش برود. بازگشت الکترون به انرژی قبلی باعث تابیده شدن یک فوتون می شود[۲۵].
۲-۵ مواد از نظر گسیل فوتونی
۲-۵-۱ گاف انرژی مستقیم و غیر مستقیم :
مطابق خواص بر همکنش الکترون و حفره در شبکه بلوری یا ترکیب زوج الکترون حفره در ساختار های نیمه هادی نحوه تغییرات تراز الکترونی درباندظرفیت و باند هدایت به دو صورت انجام می گیرد :
در گاف انرژی مستقیم بردار تکانه برای الکترون در مبدأ و مقصد یکسان بوده و بنابراین تغییر تراز حتماً با جذب یا گسیل فوتون همراه خواهد بود.

(( اینجا فقط تکه ای از متن درج شده است. برای خرید متن کامل فایل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. ))

در گاف انرژی غیر مستقیم، الکترون از باند هدایت به باند ظرفیت منتقل می شود. منتهی ضمن انتقال دچار تغییر در اندازه حرکت یا تکانه می شود. و انرژی به جای انتشار فوتون عموماً به صورت گرما به شبکه داده می شود. در این نیمه رسانا مینیمم باند هدایت در مقابل ماکزیمم باند ظرفیت قرار نگرفته است.
در یک نیمه هادی با گاف مستقیم، حداکثر باند ظرفیت و حداقل باند رسانش در مرکز رخ می دهد. که در شکل (۲-۴) نشان داده شده است. برای گذار الکترون ها به سمت پایین و یا بالا، لازم نیست اندازه حرکت یا درگیر شدن یک فوتون تغییر کند.
در نتیجه، در نیمه هادی با گاف مستقیم به وسیله جذب یک فوتون الکترون به باند رسانش می رود. اندک زمانی ساکن می ماند و نهایتاً با یک حفره باند ظرفیت باز ادغام می شود تا نوری با انرژی برابر با گاف منتشر شود. این فرایند در نیمه هادی های غیر مستقیم کاملاً متفاوت است.
دیاگرام باند نمایش داده شده نشان می دهد کمینه باند رسانش در نمی باشد. لازم است برای گذار حامل ها به قسمت پایین و یا بالا اندازه حرکت و یا درگیر شدن یک فوتون تغییر کند. به این صورت که ساکن شدن الکترونی که در حداقل باند رسانش است نمی تواند با یک حفره در دوباره ادغام شود. فقط در صورتی امکان پذیراست که یک فوتون با انرژی حقیقی و تکانه مورد نظر موجود باشد.
شکل (۲-۴) تصویر گاف انرژی نیمه هادی ها به صورت : الف) غیر مستقیم ب) مستقیم
فرایند های جذب و تابش فوتون هردو به گذار روبه قسمت پایین کمک می کنند. چون هیچ بلوری بی نقص نیست، در نتیجه جهت برخورد فوتون مناسب، مدت زمان سکون الکترون در باند ظرفیت افزایش می یابد.
نقص هایی در شبکه تحت عنوان تله و مراکز باز ترکیب وجود دارد. احتمال زیادی دارد که در میان یک مرکز ناخالص الکترون و حفره به صورت غیر تابش باز ترکیب شوند و انرژی اضافی در شبکه بصورت گرما تلف شود.
فرایند های غیر تشعشعی احتمال باز ترکیب تشعشعی در مواد با گاف غیر مستقیم را کاهش می دهند معمولاً نیمه هادی جهت تحقق منابع نوری از قبیل دیود های نوری و لیزر ها مناسب نمی باشند.
فرایند های جذب و تابش فوتون باید همواره با پایداری اندازه حرکت و انرژی باشد پس به این صورت گذار قوانین بقا و پایدار داده می شود.
(۲-۱)
(۲-۲)
در این رابطه انرژی های اولیه الکترون، انرژی های نهایی الکترون، بردار موج های نهایی الکترون، انرژی و بردار موج فوتون می باشد.
با مقایسه باعدد موجی الکترون در منطقه ی بریلوئن مشخص می شود که کوچک است. بنابراین از اندازه حرکت فوتون در مقایسه با اندازه حرکت الکترون صرف نظر می شود پس قوانین بقا به صورت زیر بیان می شوند :
(۲-۳ )
و
(۲-۴)
معادله (۲-۳) نشان میدهد یک نیمه هادی در برابر نور توانایی شفافیت دارد، اگر انرژی فوتون از گاف انرژی نیمه هادی کمتر باشد اما در صورت بالاتر بودن از انرژی آستانه جاذب نور می شود.
معادله (۲-۴) بیان کننده این است که اگر فقط فوتون ها در گذار شرکت داشته باشند تنها گذار های عمودی بین نوار رسانش و نوار ظرفیت مجاز هستند. در فرایند جذب فوتون حالتی نهایی الکترون در نوار رسانش حالتی اولیه الکترون در نوار ظرفیت است.
در صورتیکه انرژی صفر الکترون را در قسمت بالای نوار ظرفیت انتخاب کنیم انرژی های نوار رسانش و نوار ظرفیت را برای نوار های سهمی شکل به صورت زیر می نویسیم :
(۲-۵)
(۲-۶)
که در آن جرم موثر الکترون، جرم موثر حفره است و بدلیل بقای اندازه حرکت خواهد بود.
معادله (۲-۴) تقریب سهمی برای نوار های انرژی برای این گذار مستقم را نشان میدهد که برابر است با
(۲-۷)
جرم کاهش یافته الکترون حفره است و به صورت زیر بیان می شود :
(۲-۸)
در صورتیکه بین کمینه نوار رسانش و بیشینه نوار ظرفیت از اینکه بقای اندازه ی حرکت و انرژی به طور همزمان صادق باشند، جلوگیری می کند.
به صورت قوانین بقا برای گذار غیر مستقیم چنین بیان می شود :
(۲-۹)
(۲-۱۰)
که در آن انرژی فوتون و بردار موج می باشد.
برای که در آن گاف انرژی غیر مستقیم است. بقای انرژی به صورت زیر نوشته می شود :
(۲-۱۱)
علامت + برای جذب فوتون و علامت - برای گسیل فوتون بکار برده می شود.
در نیمه هادی های با گاف غیر مستقیم نیز، گذار های مستقیم با انرژی های فوتونی بیشتر از گذارهای غیر مستقیم امکان پذیر است.
ضریب جذب مربوط به لبه ی جذب اصلی در یک نیمه هادی گاف مستقیم اغلب بسیار بزرگ و دارای اندازه ای حدود